NAND三维NAND闪存芯片

时间：2022-02-21 01:10:02 | 来源：信息时代

时间：2022-02-21 01:10:02 来源：信息时代

2018年4月22日下午，国内自主研发的32层三维NAND闪存芯片在首届数字中国建设成果展览会上亮相。该芯片是国家存储器基地的核心项目。目前，芯片生产机台已于4月11日正式进场安装，有望于年内实现量产。

资料显示，国家存储器基地项目于2016年由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设，总投资额为240亿美元，位于武汉东湖高新区。基地将建设3座三维NANDFlash生产厂房。目前，项目一期已建成，首批32层三维NAND闪存芯片将于年底前实现量产。业内人士分析，该芯片将填补我国主流存储器领域空白。